新闻中心

您当前所在位置 : 首页 > 新闻中心
TI推出14款功率MOSFET,壮大NexFET产品阵营
阅读次数:686    时间:2014/4/29 12:17:05

德州仪器(TI)宣布推出14款采用TO-220及SON封装的功率MOSFET,其支持40V至100V输入电压,进一步壮大了TI普及型NexFET产品阵营。高效率NexFET包括 40V、60V、80V以及100V N通道器件,可为广泛大电流电机控制及电源应用提供优异的散热性能。
最低导通电阻

两款最新80V及100V NexFET器件可在不影响高栅极电荷的情况下,通过TO-220封装实现业界最低导通电阻,从而可在更大电流下为设计人员提供更高的电源转换效率。CSD19506可在高达80V的输入电压下支持2.0毫欧姆的导通电阻,而CSD19536则可在100V输入电压下支持2.3毫欧姆的导通电阻。这两款产品都采用支持高雪崩性能的塑料封装,支持高应力电机控制应用。此外,设计人员还可通过访问TI获奖的WEBENCH在线设计工具便捷选择最新产品,模拟电源设计。

简单易用的评估板

TI还基于60V NexFET产品推出了几款简单易用的评估板,都可通过TI eStore订购:

●步进电机前置驱动器:DRV8711EVM评估板基于DRV8711步进电机控制器,与NexFET器件搭配,可驱动一个大电流双极步进电机或两个有刷DC电机;

●电机驱动BoosterPack:BOOSTXL-DRV8301套件是基于DRV8301前置驱动器的10A三相位无刷 DC 驱动级,适用于学习无传感器无刷控制技术以及驱动级设计的人员;

●数字电源:UCD3138PSFBEVM-027可帮助电源开发人员设计数控移相离线12V、360W电源转换器应用;

●负载点控制:TPS40170EVM-597评估板支持TI具有2个NexFET器件的TPS40170同步降压控制器。

关于NexFET功率MOSFET

TI NexFET功率MOSFET技术可提升高功率计算、网络、工业以及电源的能源效率。这些高频率、高效率模拟功率MOSFET可为系统设计人员提供现已上市的最高级DC/DC电源转换解决方案。

供货情况

CSD19506KCS与CSD19536KCSN通道器件现已开始批量供货,可通过TI及其授权分销商全球网络进行订购。每款产品都采用3引脚标准TO-220封装。此外,TI还提供采用无引线5毫米 × 6毫米SON封装的 40V、60V、80V以及100V FET。


 

[返回]
版权所有 © 深圳市安得能科技有限公司  备案号:粤ICP备18152606号   网站建设:合优 企业邮箱
地 址:深圳市福田区深南大道绿景广场NEO大厦B座32E 联系电话:86-755-83796113 E-mail:adn@360adn.com
在线留言 | 人才招聘 | 联系我们